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2、智能卡芯片的加工方法及智能卡芯片 (57)摘要 本申请公开了一种智能卡芯片的加工方法 及智能卡芯片， 属于芯片制造技术领域。 所述方 法包括： 提供具有至少一个金属顶层的智能卡芯 片； 在至少一个金属顶层上沉积钝化层； 对钝化 层进行平坦化处理； 对至少一个金属顶层中的目 标金属顶层上方的钝化层通过刻蚀工艺进行去 除， 使目标金属顶层暴露在外； 在钝化层和目标 金属顶层上涂布聚亚酰胺层； 对目标金属顶层上 方的聚亚酰胺层进行去除形成引脚通孔， 使目标 金属顶层通过引脚通孔暴露在外。 本申请通过在 金属顶层沉积钝化层后， 通过对钝化层进行平坦 化处理， 从而使智能卡芯片的表面变得平坦， 在 受到。
3、压力时能够较为均匀地受力， 同时， 通过在 钝化层上设置聚亚酰胺层， 能够进一步增加缓冲 作用和机械性能， 提高了智能卡芯片的抗压性 能。 权利要求书2页 说明书5页 附图5页 CN 110729179 A 2020.01.24 CN 110729179 A 1.一种智能卡芯片的加工方法，LB彩票 网站 LB彩票网 其特征在于， 所述方法包括： 提供具有至少一个金属顶层的智能卡芯片； 在所述至少一个金属顶层上沉积钝化层； 对所述钝化层进行平坦化处理； 对所述至少一个金属顶层中的目标金属顶层上方的钝化层通过刻蚀工艺进行去除， 使 所述目标金属顶层暴露在外； 在所述钝化层和所述目标金属顶层上涂布聚亚酰胺层； 对所述目标金属。
4、顶层上方的聚亚酰胺层进行去除形成引脚通孔， 使所述目标金属顶层 通过所述引脚通孔暴露在外。 2.根据权利要求1所述的方法， 其特征在于， 所述钝化层包括二氧化硅层， 所述在所述 至少一个金属顶层上沉积钝化层， 包括： 通过高密度等离子体化学气相沉积法HDPCVD工艺， 和/或， 等离子体增强PECVD工艺在 所述至少一个金属顶层上沉积所述二氧化硅层。 3.根据权利要求2所述的方法， 其特征在于， 所述对所述钝化层进行平坦化处理， 包括： 通过化学机械研磨CMP工艺对所述二氧化硅层进行所述平坦化处理。 4.根据权利要求3所述的方法， 其特征在于， 所述钝化层还包括所述二氧化硅层上的氮 化硅层或氮。
5、氧化硅层； 所述通过化学机械研磨CMP工艺对所述二氧化硅层进行所述研磨处理之后， 还包括： 通过所述PECVD工艺在所述二氧化硅层上沉积所述氮化硅层或氮氧化硅层； 所述对所述至少一个金属顶层中的目标金属顶层上方的钝化层通过刻蚀工艺进行去 除， 包括： 对所述至少一个金属顶层中的目标金属顶层上方的所述二氧化硅层和所述氮化硅层 或氮氧化硅层通过所述刻蚀工艺进行去除。 5.根据权利要求4所述的方法， 其特征在于， 所述对所述至少一个金属顶层中的目标金 属顶层上方的所述二氧化硅层和所述氮化硅层或氮氧化硅层通过所述刻蚀工艺进行去除， 包括： 在所述氮化硅层或氮氧化硅层上涂布光刻胶； 对所述目标金属顶层上。
6、方的光刻胶进行曝光； 通过显影液去除所述目标金属顶层上方的光刻胶， 使所述目标金属顶层上方的氮化硅 层或氮氧化硅层暴露在外； 对所述目标金属顶层上方的氮化硅层或氮氧化硅层和二氧化硅层通过所述刻蚀工艺 进行去除； 将所述氮化硅层或氮氧化硅层上的光刻胶进行去除。 6.根据权利要求1至5任一所述的方法， 其特征在于， 所述对所述目标金属顶层上方的 聚亚酰胺层进行去除， 包括： 对所述目标金属顶层上方的聚亚酰胺层进行曝光； 通过显影液去除所述目标金属顶层上方的聚亚酰胺层。 7.根据权利要求6所述的方法， 其特征在于， 所述对所述目标金属顶层上方的聚亚酰胺 层进行曝光之后， 还包括： 权利要求书 1/2。
7、 页 2 CN 110729179 A 2 通过紫外光UV固化工艺对所述聚亚酰胺层进行固化处理。 8.一种智能卡芯片， 其特征在于， 所述智能卡芯片包括智能卡芯片块、 设置于智能卡芯 片块上的至少一个金属顶层、 设置于所述金属顶层上的钝化层以及设置于所述钝化层上聚 亚酰胺层； 所述聚亚酰胺层包括引脚通孔， 所述引脚通孔用于使所述至少一个金属顶层中的目标 金属顶层暴露在外。 9.根据权利要求8所述的智能卡芯片， 其特征在于， 所述钝化层包括二氧化硅层和氮化 硅层或氮氧化硅层。 10.根据权利要求9所述的智能卡芯片， 其特征在于， 所述二氧化硅层是在沉积后通过 CMP工艺研磨处理过的二氧化硅层。 。
8、权利要求书 2/2 页 3 CN 110729179 A 3 智能卡芯片的加工方法及智能卡芯片 技术领域 0001 本申请涉及芯片制造技术领域， 具体涉及一种智能卡芯片的加工方法及智能卡芯 片。 背景技术 0002 诸如电子护照、 金融卡(例如借记卡、 信用卡等)、 乘车卡等智能卡中都设置有智能 卡芯片， 在智能卡芯片的生产过程中需要对智能卡芯片进行压力测试以测量其抗压性能。 例如， 对应用于电子护照的智能卡芯片通常采用点压力测试， 对应用于金融卡的智能卡芯 片通常采用三轮压力测试。 0003 随着智能卡芯片的厚度越来越薄， 相关技术制造得到的智能卡芯片难以通过压力 测试， 抗压性能较差。 发。
9、明内容 0004 本申请提供了一种智能卡芯片的加工方法和智能卡芯片， 可以解决相关技术中提 供的智能卡芯片抗压性能较差的问题。 0005 一方面， 本申请提供了一种智能卡芯片的加工方法， 所述方法包括： 0006 提供具有至少一个金属顶层的智能卡芯片； 0007 在所述至少一个金属顶层上沉积钝化层； 0008 对所述钝化层进行平坦化处理； 0009 对所述至少一个金属顶层中的目标金属顶层上方的钝化层通过刻蚀工艺进行去 除， 使所述目标金属顶层暴露在外； 0010 在所述钝化层和所述目标金属顶层上涂布聚亚酰胺层； 0011 对所述目标金属顶层上方的聚亚酰胺层进行去除形成引脚通孔， 使所述目标金属。
10、LB彩票 网站 LB彩票网 顶层通过所述引脚通孔暴露在外。 0012 可选的， 所述钝化层包括二氧化硅层， 所述在所述至少一个金属顶层上沉积钝化 层， 包括： 0013 通过高密度等离子体化学气相沉积法HDPCVD工艺， 和/或， 等离子体增强PECVD工 艺在所述至少一个金属顶层上沉积所述二氧化硅层。 0014 可选的， 所述对所述钝化层进行平坦化处理， 包括： 0015 通过化学机械研磨CMP工艺对所述二氧化硅层进行所述平坦化处理。 0016 可选的， 所述钝化层还包括所述二氧化硅层上的氮化硅层或氮氧化硅层； 0017 所述通过化学机械研磨CMP工艺对所述二氧化硅层进行所述研磨处理之后， 还包 括： 0018 通过。
11、所述PECVD工艺在所述二氧化硅层上沉积所述氮化硅层或氮氧化硅层； 0019 所述对所述至少一个金属顶层中的目标金属顶层上方的钝化层通过刻蚀工艺进 行去除， 包括： 说明书 1/5 页 4 CN 110729179 A 4 0020 对所述至少一个金属顶层中的目标金属顶层上方的所述二氧化硅层和所述氮化 硅层或氮氧化硅层通过所述刻蚀工艺进行去除。 0021 可选的， 所述对所述至少一个金属顶层中的目标金属顶层上方的所述二氧化硅层 和所述氮化硅层或氮氧化硅层通过所述刻蚀工艺进行去除， 包括： 0022 在所述氮化硅层或氮氧化硅层上涂布光刻胶； 0023 对所述目标金属顶层上方的光刻胶进行曝光； 0。
12、024 通过显影液去除所述目标金属顶层上方的光刻胶， 使所述目标金属顶层上方的氮 化硅层或氮氧化硅层暴露在外； 0025 对所述目标金属顶层上方的氮化硅层或氮氧化硅层和二氧化硅层通过所述刻蚀 工艺进行去除； 0026 将所述氮化硅层或氮氧化硅层上的光刻胶进行去除。 0027 可选的， 所述对所述目标金属顶层上方的聚亚酰胺层进行去除， 包括： 0028 对所述目标金属顶层上方的聚亚酰胺层进行曝光； 0029 通过显影液去除所述目标金属顶层上方的聚亚酰胺层。 0030 可选的， 所述对所述目标金属顶层上方的聚亚酰胺层进行曝光之后， 还包括： 0031 通过紫外光UV固化工艺对所述聚亚酰胺层进行固化。
13、处理。 0032 另一方面， 本申请提供了一种智能卡芯片， 所述智能卡芯片包括智能卡芯片块、 设 置于智能卡芯片块上的至少一个金属顶层、 设置于所述金属顶层上的钝化层以及设置于所 述钝化层上聚亚酰胺层； 0033 所述聚亚酰胺层包括引脚通孔， 所述引脚通孔用于使所述至少一个金属顶层中的 目标金属顶层暴露在外。 0034 可选的， 所述钝化层包括二氧化硅层和氮化硅层或氮氧化硅层。 0035 可选的， 所述二氧化硅层是在沉积后通过CMP工艺研磨处理过的二氧化硅层。 0036 本申请技术方案， 至少包括如下优点： 0037 通过在金属顶层沉积钝化层后， 通过对钝化层进行平坦化处理， 从而使智能卡芯 。
14、片的表面变得平坦， 芯片表面应力较均居， 进而可在平坦化的钝化层和金属顶层上通过涂 布的方式覆盖聚亚酰胺层， 可进一步增加平坦化及缓冲层， 在受到压力时能够较为均匀地 受力， 从而能够使智能卡芯片通过压力测试， 提高了智能卡芯片的抗压性能。 附图说明 0038 为了更清楚地说明本申请具体实施方式或现有技术中的技术方案， 下面将对具体 实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍， 显而易见地， 下面描述中的 附图是本申请的一些实施方式， 对于本领域普通技术人员来讲， 在不付出创造性劳动的前 提下， 还可以根据这些附图获得其他的附图。 0039 为了更清楚地说明本申请具体实施方式或现有技。
15、术中的技术方案， 下面将对具体 实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍， 显而易见地， 下面描述中的 附图是本申请的一些实施方式， 对于本领域普通技术人员来讲， 在不付出创造性劳动的前 提下， 还可以根据这些附图获得其他的附图。 0040 图1为智能卡芯片的压力测试方法的示意图； 说明书 2/5 页 5 CN 110729179 A 5 0041 图2为本申请一个示例性实施例提供的智能卡芯片的加工方法的流程图； 0042 图3至图9为本申请一个示例性实施例提供的智能卡芯片的加工过程的示意图； 0043 图10为本申请一个示例性实施例提供的智能卡芯片的截面图； 0044 图11为本。
16、申请提供的智能卡芯片与相关技术提供的智能卡芯片的压力测试示意 图。 具体实施方式 0045 下面将结合附图， 对本发明中的技术方案进行清楚、 完整的描述， 显然， 所描述的 实施例是本发明的一部分实施例， 而不是全部的实施例。 基于本发明中的实施例， 本领域普 通技术人员在不做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例， 都属于本发明保护的 范围。 0046 在本申请的描述中， 需要说明的是， 术语 “中心” 、“上” 、“下” 、“左” 、“右” 、“竖直” 、 “水平” 、“内” 、“外” 等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系， 仅是为了 便于描述本申请和简化描述， 而不是。
17、指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、 以特定的方位构造和操作， 因此不能理解为对本申请的限制。 此外， 术语 “第一” 、“第二” 、 “第三” 仅用于描述目的， 而不能理解为指示或暗示相对重要性。 0047 在本申请的描述中， 需要说明的是， 除非另有明确的规定和限定， 术语 “安装” 、“相 连” 、“连接” 应做广义理解， 例如， 可以是固定连接， 也可以是可拆卸连接， 或一体地连接； 可 以是机械连接， 也可以是电气连接； 可以是直接相连， 也可以通过中间媒介间接相连， 还可 以是两个元件内部的连通， 可以是无线连接， 也可以是有线连接。 对于本领域的普通技术人 员而言， 可。
18、以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。 0048 此外， 下面所描述的本申请不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构 成冲突就可以相互结合。 0049 图1， 示出了智能卡芯片的压力测试方法的示意图。 如图1所示， 智能卡芯片110放 置于基座120上， 压力测试探头130施加压力于智能卡芯片110上， 对智能卡芯片110进行压 力测试。 0050 由于现有的智能卡芯片通常厚度较小(通常可达到150微米以下， 甚至100微米以 下)， 同时， 智能卡芯片的表面不平坦， 因此在承受压力测试时受力不均匀， 导致智能卡芯片 难以通过压力测试， 且智能卡芯片的抗压性能较差。 0051 图2。
19、， 示出了本申请一个示例性实施例提供的智能卡芯片的加工方法的流程图， 该 方法包括： 0052 步骤201， 提供具有至少一个金属顶层的智能卡芯片。 0053 该智能卡芯片可以是包含多个智能卡芯片块(Die)的智能卡芯片的晶圆， 也可以 是一个智能卡芯片块。 该智能卡芯片上制备有至少一个金属顶层， 金属顶层可以是智能卡 芯片的电连接端口。 示例性的， 该智能卡芯片包括衬底和位于衬底上的智能卡芯片图形， 其 中， 智能卡芯片图形包括至少一个金属顶层。 0054 步骤202， 在至少一个金属顶层上沉积钝化层。 0055 其中， 该钝化层包括二氧化硅(SiO2)层。 示例性的， 如图3所示， 智能卡。
21、n， PECVD)工艺在至少一个金属顶层上沉积二氧化硅层； 或者， 可分别通过HDPCVD 工艺和PECVD工艺在至少一个金属顶层上沉积二氧化硅层。 0057 步骤203， 对钝化层进行平坦化处理。 0058 示例性的， 可通过化学机械研磨(Chemical Mechanical Polishing， CMP)工艺对 二氧化硅层进行研磨处LB彩票 官方 LB彩票app理， 使二氧化硅层平坦化。 如图3所示， 沉积得到的二氧化硅层301并 不平坦， 尤其是位于金属顶层上方的二氧化硅层形成有凸起； 如图4所示， 通过CMP工艺对二 氧化硅层301进行研磨处理后， 二氧化硅层301的表面变得平坦。 0059 可选的， 钝化层还包。
22、括氮化硅(Si3N4)层或氮氧化硅(SiON)层。 在通过CMP工艺对二 氧化硅进行研磨处理后， 还包括通过PECVD工艺在二氧化硅层上沉积氮氧化硅层。 0060 示例性的， 如图5所示， 可通过PECVD工艺在二氧化硅层301上沉积氮化硅层或氮氧 化硅层302。 0061 步骤204， 对LB彩票 官方 LB彩票app至少一个金属顶层中的目标金属顶层上方的钝化层通过刻蚀工艺进 行去除， 使目标金属顶层暴露在外。 0062 其中， 目标金属顶层为需要暴露在外， 与其它电子元件或设备电连接的金属顶层。 示例性的， 对至少一个金属顶层中的目标金属顶层上方的钝化层通过刻蚀工艺进行去除， 包括但不限于： 0063 在钝化层上涂布光。
23、刻胶； 对目标金属顶层上方的光刻胶进行曝光； 通过显影液去 除目标金属顶层上方的光刻胶， 使目标金属顶层上方的钝化层暴露在外； 对暴露在外的目 标金属顶层上方的钝化层通过刻蚀工艺进行去除； 将钝化层上的光刻胶进行去除。 0064 示例性的， 以金属顶层311为目标金属顶层进行说明， 如图6所示， 在氮化硅层302 上涂布光刻胶303， 可通过第一掩模板(图6中未示出)对除目标金属顶层311上方的光刻胶 进行遮挡， 通过紫外光(Ultraviolet， UV)对目标金属顶层311上方的光刻胶进行曝光， 通过 显影液去除目标金属顶层311上方的光刻胶， 使目标金属顶层311上方的氮化硅层或氮化硅 。
24、层302暴露在外， 对暴露在外的目标金属顶层311上方的钝化层通过刻蚀工艺进行去除； 如 图7所示， 将氮化硅层或氮化硅层302上的光刻胶进行去除。 0065 步骤205， 在钝化层和目标金属顶层上涂布聚亚酰胺层。 0066 示例性的， 如图8所示， 在氮化硅层302上以及目标金属顶层311上涂布聚亚酰胺层 (Polyimide)304。 0067 步骤206， 对目标金属顶层上方的聚亚酰胺层进行去除形成引脚通孔， 使目标金属 顶层通过引脚通孔暴露在外。 0068 示例性的， 对目标金属顶层上方的聚亚酰胺层进行去除形成引脚通孔包括但不限 于： 0069 对目标金属顶层上方的聚亚酰胺层进行曝光；。
25、 通过显影液去除目标金属顶层上方 的聚亚酰胺层。 说明书 4/5 页 7 CN 110729179 A 7 0070 示例性的， 如图9所示， 可通过第一掩模板， 或其它掩模板(图8中未示出)对除目标 金属顶层311上方的其它区域的聚亚酰胺层进行遮挡， 对目标金属顶层311上方的聚亚酰胺 层照射UV光进行曝光， 通过显影液去除目标金属顶层311上方的聚亚酰胺层， 形成引脚通孔 (PAD)305。 可选的， 对目标金属顶层上方的聚亚酰胺层进行曝光之后， 还包括通过UV固化 (Curing)工艺对聚亚酰胺层进行固化处理。 0071 当智能卡芯片上包括两个以上的目标金属顶层时， 可通过上述方法对两个。
26、以上的 目标金属顶层的上方形成引脚通孔。 当智能卡芯片是包括多个智能卡芯片块的晶圆时， 在 完成上述步骤后， 可对该晶圆进行切割得到包含一个智能卡芯片块的芯片。 0072 综上所述， 本申请实施例中， 通过在金属顶层沉积钝化层后， 通过对钝化层进行平 坦化处理， 从而使智能卡芯片的表面变得平坦， 在受到压力时能够较为均匀地受力， 进而在 平坦化的钝化层和金属顶层上通过涂布的方式覆盖聚亚酰胺层， 进一步增加了缓冲性能和 机械性能， 从而能够使智能卡芯片通过压力测试， 提高了智能卡芯片的抗压性能。 0073 图10， 示出了本申请一个示例性实施例提供的智能卡芯片的侧视图。 如图10所示， 本申请实。
27、施例提供的智能卡芯片1000包括智能卡芯片块1010、 设置于智能卡芯片块1010上 的至少一个金属顶层(图10中以金属顶层1021和1022作示例性说明)、 设置于金属顶层上的 钝化层1030以及设置于钝化层1030上的聚亚酰胺层1040。 其中， 聚亚酰胺层1040包括引脚 通孔1041， 该引脚通孔用于使目标金属顶层1021暴露在外。 本申请实施例中的智能卡芯片 1000可通过图2实施例中的加工方法加工得到。 0074 可选的， 钝化层1030包括二氧化硅层1031、 氮化硅层或氮氧化硅层1032； 二氧化硅 层1031是在沉积后通过CMP工艺研磨处理过的二氧化硅层。 0075 图11，。
28、 示出了本申请提供的智能卡芯片与相关技术提供的智能卡芯片的压力测试 示意图。 如图11所示， 本申请(图11中的 “本发明” )提供的智能卡芯片在点压力测试和三轮 压力测试中的抗压能力优于相关技术(图11中的 “一般工艺” )提供的智能卡芯片。 0076 显然， 上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例， 而并非对实施方式的限定。 对 于所属领域的普通技术人员来说， 在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或 变动。 这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。 而由此所引伸出的显而易见的变化或 变动仍处于本申请创造的保护范围之中。 说明书 5/5 页 8 CN 110729179 A 8 图1 图2 说明书附图 1/5 页 9 CN 110729179 A 9 图3 图4 图5 说明书附图 2/5 页 10 CN 110729179 A 10 图6 图7 说明书附图 3/5 页 11 CN 110729179 A 11 图8 图9 说明书附图 4/5 页 12 CN 110729179 A 12 图10 图11 说明书附图 5/5 页 13 CN 110729179 A 13 。
